32 Infos zu Nico Ketteniß

2 Aktuelle Nachrichten

Nico Ketteniß in Kooperation mit unserem Labor für Medizinische Physik unter der Betreuung von Prof. Dr. Karl Ziemons. Wir wünschen Herrn Röhl für seinen weiteren Berufs- und Lebensweg alles Gute und viel Erfolg! Labor Medizinische Physik; FH Direkt bla. Kontakt FH Aachen Postfach

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5 Profile in Sozialen Netzwerken

Nico Ketteniss' berufliches Profil anzeigen LinkedIn ist das weltweit größte berufliche ... GaN Device Technology, RWTH Aachen University,; Thomas Swan ...

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1 Bücher zum Namen

Nico Ketteniß pages. 0 Reviewshttp://books.google.com/books/about/GaN_based_Heterostructure_Field_Effect_T.html?id=HVuBoAEACAAJ ...

2 Dokumente

1 Bachelor thesis Of Mina Jean Hanna In the subject of characterization and modeling of group III nitrides Heterostructure Field Effect Transistor Titled: opti…

1 Allgemeine Veröffentlichungen

Nico Ketteniß. Link auf diese Seite. Hinweis zum Datenschutz Mit Klick auf "Einverstanden" können Sie diese Seite in sozialen Netzwerken weiterempfehlen. Dabei besteht die Möglichkeit, dass Daten von Ihrem Computer zum jeweiligen Anbieter sowie Daten des …

21 Webfunde aus dem Netz

Nico Ketteniss: Research and Process Engineer - GaN device technology: Kreisfreie Stadt Aachen Area, Germany | Semiconductors. Electrical engineer (Dipl.

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‪GaN Device Technology, RWTH Aachen University‬ - ‪‪引用: 539 件‬‬

‪pmdtechnologies ag, Siegen‬ - ‪‫تم الاقتباس 178 مرة‬‬ - ‪MISHFET‬ - ‪p-GaN-gated HFET‬ - ‪Image Sensors‬ - ‪Sentaurus TCAD‬ - ‪ToF‬

GaN Device Technology, RWTH Aachen University цитувань

Nico Ketteniß Manufacturing Engineering ABIOMED Europe GmbH | Aachen, Germany Tel.: + | Fax: +

144, Flowriders ( 1), 01:43:45,7, Nico Ketteniss (1980), Philipp Buchwald (1987), Heiko De Ben (1977), Marius Grauwinkel (1987), Urkunde. 145, Rurtalbahn Cargo ( 1), 01:43:52,5, Fabrice Brüll (1989), Marc Müllenbach (1986), Bas Zedelmayr (1992), Frank Drews (1971), Urkunde. 146, DocMorris ( 2), 01:43:57,0, Bogdan ...

Abstract Enhancement mode GaN‐based devices can be realised i.a. by gate recessing or the utilisation of a thin barrier. Yet, as this concept bases upon an...

Nico Ketteniss,; Benjamin Reuters,; Sameer Singhal,; Herwig Hahn,; Hannes Behmenburg,; Wayne Johnson,; Dirk Fahle,; Mike Kunze,; Maximilian Slawinski,  ...

‪RWTH Aachen‬ - ‪‪ forrás hivatkozott rá‬‬

CoauteursTout afficher… Andrei Vescan,; Nico Ketteniss,; Herwig Hahn,; Ulrich Schwarz,; Weig T · Titre1–4, Citée par, Année ...

Dr.-Ing. Nico Ketteniss (nketteniss (*a_t*) abiomed.com). NicoK: Beiträge: 2: Registriert: :19: Studiert seit: fertig: Anwendungsfach: ...

‪RWTH Aachen‬ - ‪‪Citat de ‬‬

Wissenschaftlicher Mitarbeiter, GaN-Baueelementtechnologie, RWTH Aachen. GaN, FETs, ICP-RIE, HFET, HEMT. بريد إلكتروني تم التحقق منه على gan.rwth-aachen.de ... Andrei Vescan,; Benjamin Reuters,; Nico Ketteniss,; Oliver Ambacher,; Hannes ... H Hahn, B Reuters, A Wille, N Ketteniss, F Benkhelifa, O Ambacher, ...‏.

‪RWTH Aachen‬ - ‪‪Geciteerd door ‬‬

Title: GaN-based heterostructure field effect transistors with ternary and quaternary InAl(Ga)N barrier layers. Authors: Nico Ketteniss. Publisher/Institution:.

‪AIXTRON SE‬ - ‪‪Citované v 715‬‬ - ‪FETs‬ - ‪Semiconductor Processing & Technology‬ - ‪Nitrides‬ - ‪III-Vs‬

‪AIXTRON SE‬ - ‪‪引用次数：937 次‬‬ - ‪FETs‬ - ‪Semiconductor Processing & Technology‬ - ‪Nitrides‬ - ‪III-Vs‬

‪AIXTRON SE‬ - ‪‫تم الاقتباس 764 مرة‬‬ - ‪FETs‬ - ‪Semiconductor Processing & Technology‬ - ‪Nitrides‬ - ‪III-Vs‬